Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Техника arrow Разработка и расчет усилителся низкой частоты на интегральных микросхемах

Расчет входного каскада усилителя

На рисунке 3 приведена принципиальная электрическая схема входного каскада усилителя с регулятором тембра. В качестве активного элемента входного каскада используется ОУ типа КМ1432УД2А(Б) с типовой схемой включения. Технические характеристики ОУ типа КМ1432УД2А(Б) приведены в приложении 3. Напряжение питания входного каскада - двухполярное, ±15 В постоянного тока.

Входной каскад усилителя воспроизведения

Рис. 3. Входной каскад усилителя воспроизведения.

Согласно методике расчёта изложенной выше, выполним расчет элементов регулятора тембра (рисунок 3). Исходные данные для расчета:

· максимальный подъем/спад амплитудно-частотной характеристики, не менее: mдБ = ±6 дБ;

· частоты регулировки fв = 12 кГц и fн = 80 Гц.

Принимаем номинал потенциометра R3 для регулировки тембра по нижним частотам равным величине R3 = 68 кОм. Принимаем номинал потенциометра R5 для регулировки тембра по верхним частотам равным величине R5 = 1 МОм. Принимаем номинал резистора R4 равным 68 кОм.

Исходя из заданной максимальной глубины регулировки тембра на нижних частотах находим сопротивления R1, R6:

.

Ёмкость конденсаторов C1, C2 в плече нижних частот равна:

.

Исходя из заданной максимальной глубины регулировки тембра в области верхних частот находим сопротивления R2, R7:

.

Ёмкость конденсатора С3 в плече высоких частот равна:

.

По ГОСТ 28884-90 из ряда Е24 выберем стандартные номиналы резисторов и потенциометров:

R1, R4, R6: МЛТ-0,125 - 68 кОм ±5%.

R3: С2-23 - 68 кОм ±5%.

R2, R7: МЛТ-0,125 - 200 кОм ±5%.

R5: С2-23 - 1 МОм ±5%.

По ГОСТ 2519-67 из ряда Е24 выберем стандартные номиналы конденсаторов C1, С2, С3:

C1: К73-9 - 30 нФ ±5%.

C2: К73-9 - 30 нФ ±5%.

C3: КМ-5 - 65 пФ ±5%.

Заключение

Усилители низкой частоты являются основным звеном любой системы речевой связи, звуковоспроизведения, автоматики, независимо от уровня ее сложности и области применения. В настоящее время при построении современных УНЧ используют элементную базу на мощных интегральных микросхемах и отработанные типовые схемотехнические решения, которые обеспечивают высокие технические показатели создаваемых устройств.

Современный уровень развития интегральной полупроводниковой техники позволяет создавать УНЧ в интегральном исполнении с высокими техническими характеристиками, в большинстве случаях превосходящих усилители мощности на дискретных элементах. Подобные интегральные УНЧ обладают рядом неоспоримых преимуществ: они существенно компактнее, дешевле своих дискретных аналогов, а также имеют высокую надежность работы. Как показывает практика, такие УНЧ удовлетворяют потребности практически в любой сфере применения при создании различной электронной аппаратуры.

 
< Предыдущая   СОДЕРЖАНИЕ   Следующая >
 
Предметы
Агропромышленность
Банковское дело
БЖД
Бухучет и аудит
География
Документоведение
Естествознание
Журналистика
Инвестирование
Информатика
История
Культурология
Литература
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика, химия, физика
Медицина
Менеджмент
Недвижимость
Педагогика
Политология
Политэкономия
Право
Психология
Региональная экономика
Религиоведение
Риторика
Социология
Статистика
Страховое дело
Техника
Товароведение
Туризм
Философия
Финансы
Экология
Экономика
Этика и эстетика
Прочее