Расчет входного каскада усилителя
На рисунке 3 приведена принципиальная электрическая схема входного каскада усилителя с регулятором тембра. В качестве активного элемента входного каскада используется ОУ типа КМ1432УД2А(Б) с типовой схемой включения. Технические характеристики ОУ типа КМ1432УД2А(Б) приведены в приложении 3. Напряжение питания входного каскада - двухполярное, ±15 В постоянного тока.
Рис. 3. Входной каскад усилителя воспроизведения.
Согласно методике расчёта изложенной выше, выполним расчет элементов регулятора тембра (рисунок 3). Исходные данные для расчета:
· максимальный подъем/спад амплитудно-частотной характеристики, не менее: mдБ = ±6 дБ;
· частоты регулировки fв = 12 кГц и fн = 80 Гц.
Принимаем номинал потенциометра R3 для регулировки тембра по нижним частотам равным величине R3 = 68 кОм. Принимаем номинал потенциометра R5 для регулировки тембра по верхним частотам равным величине R5 = 1 МОм. Принимаем номинал резистора R4 равным 68 кОм.
Исходя из заданной максимальной глубины регулировки тембра на нижних частотах находим сопротивления R1, R6:
.
Ёмкость конденсаторов C1, C2 в плече нижних частот равна:
.
Исходя из заданной максимальной глубины регулировки тембра в области верхних частот находим сопротивления R2, R7:
.
Ёмкость конденсатора С3 в плече высоких частот равна:
.
По ГОСТ 28884-90 из ряда Е24 выберем стандартные номиналы резисторов и потенциометров:
R1, R4, R6: МЛТ-0,125 - 68 кОм ±5%.
R3: С2-23 - 68 кОм ±5%.
R2, R7: МЛТ-0,125 - 200 кОм ±5%.
R5: С2-23 - 1 МОм ±5%.
По ГОСТ 2519-67 из ряда Е24 выберем стандартные номиналы конденсаторов C1, С2, С3:
C1: К73-9 - 30 нФ ±5%.
C2: К73-9 - 30 нФ ±5%.
C3: КМ-5 - 65 пФ ±5%.
Заключение
Усилители низкой частоты являются основным звеном любой системы речевой связи, звуковоспроизведения, автоматики, независимо от уровня ее сложности и области применения. В настоящее время при построении современных УНЧ используют элементную базу на мощных интегральных микросхемах и отработанные типовые схемотехнические решения, которые обеспечивают высокие технические показатели создаваемых устройств.
Современный уровень развития интегральной полупроводниковой техники позволяет создавать УНЧ в интегральном исполнении с высокими техническими характеристиками, в большинстве случаях превосходящих усилители мощности на дискретных элементах. Подобные интегральные УНЧ обладают рядом неоспоримых преимуществ: они существенно компактнее, дешевле своих дискретных аналогов, а также имеют высокую надежность работы. Как показывает практика, такие УНЧ удовлетворяют потребности практически в любой сфере применения при создании различной электронной аппаратуры.
